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英伟达新一代超级芯片高度依赖HBM3e HBM3e或成明年市场主流

发布日期:2023-10-15 13:32    点击次数:135

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  英伟达在洛杉矶举行的Siggraph大会上表示,图形芯片和处理器相结合的Grace Hopper超级芯片将从一种新型内存中获益。该产品依赖于高带宽存储器3(即HBM3e),后者能够以每秒钟高达5TB的速度访问信息。英伟达表示,这款名为GH200的超级芯片将于2024年第二季度投产。

  根据TrendForce集邦咨询调查显示,为顺应AI加速器芯片需求演进,各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e,预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主流。HBM3e将由24Gb mono die堆栈,在8层(8Hi)的基础下,单颗HBM3e容量将一口气提升至24GB。除了英伟达外,Google与AWS正着手研发次世代自研AI加速芯片,将采用HBM3或HBM3e。

  据财联社主题库显示,相关上市公司中:

  雅克科技子公司UP Chemical是韩国存储芯片龙头SK海力士核心供应商,供应海力士HBM前驱体。

  联瑞新材公司表示,对HBM封装高度提升、散热需求大的问题,颗粒封装材料(GMC)中就需要添加球硅和球铝,公司部分客户是GMC供应商。